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元件参数资料
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参数目录38346
> RJK0329DPB-00#J0 MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
型号:
RJK0329DPB-00#J0
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Renesas Electronics America
描述:
MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
RJK0329DPB-00#J0 PDF
产品目录绘图
RJK Series LFPAK
RJK Series LFPAK Circuit
标准包装
2,500
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
55A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2.3 毫欧 @ 27.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
5330pF @ 10V
功率 - 最大
60W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-100,SOT-669
供应商设备封装
LFPAK
包装
带卷 (TR)
其它名称
RJK0329DPB-00#J0TR
查看RJK0329DPB-00#J0代理商
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